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美光科技内存业务全面加速,领跑数据中心存储新时代

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美光科技凭借其在高性能内存领域的卓越表现,尤其是在高带宽内存(HBM)产品上的突破性进展,成为当前数据中心和人工智能领域的关键内存供应商。其2025财年业绩强劲,实现收入和盈利的双重飞跃,展望未来,持续的资本投入和技术创新提升了其在全球内存市场的竞争力和市场份额。

美光科技凭借其在高性能内存领域的卓越表现,尤其是在高带宽内存(HBM)产品上的突破性进展,成为当前数据中心和人工智能领域的关键内存供应商。其2025财年业绩强劲,实现收入和盈利的双重飞跃,展望未来,持续的资本投入和技术创新提升了其在全球内存市场的竞争力和市场份额。

在当今数据中心、人工智能和高性能计算(HPC)快速发展的背景下,内存技术的需求空前增长。作为美国本土领先的高性能内存制造商,美光科技(Micron Technology)凭借其持续的技术创新和市场敏锐度,正稳步推进其内存业务的发展,成为全球内存领域的重要玩家。虽然美国尚无高性能XPU计算引擎芯片的本土制造工厂,但美光在高性能内存领域,尤其是高带宽内存(HBM)的布局,为其在全球竞争中赢得了独特的优势。 美光最初在HBM领域起步较晚,直到2021年6月才推出HBM2E内存,相较韩国三星和SK海力士两家早已发布多代HBM产品的竞争对手,美光一度面临较大挑战。此前,美光与英特尔合作开发3D XPoint技术,虽未取得理想成果,却也为其资本和技术积累提供了部分支持。随着人工智能浪潮的兴起,市场对HBM的需求迅速增加,尤其是在AI训练和推理的高带宽需求推动下,美光迅速调整战略,跳过HBM3直接进军性能和堆叠层数更高的HBM3E产品领域。

这一决断使其在2024年成为唯一为英伟达升级版H200 GPU供应HBM3E的厂商,推动其相关业务实现爆发式增长。 除HBM业务之外,美光还成为英伟达"Grace"CG100 Arm服务器处理器的唯一LPDDR5低功耗内存供应商。该处理器作为英伟达机架式服务器的主CPU,广泛应用于云计算和企业数据中心,代表了未来服务器内存与处理器协同优化的发展趋势。美光还将继续为英伟达下一代"Vera"Arm处理器提供相应的LPDDR5内存,强化其在服务器内存市场的核心地位。 2025财年,对于美光而言是充满挑战但同样回报丰厚的一年。截止2025年8月季度,公司实现收入同比增长46%至113.2亿美元,环比增长21.7%,显示出行业升级换代周期的积极效应。

在成本控制和运营效率提升的共同驱动下,经营利润环比同比双双大幅增长,达到36.5亿美元,净利润增长至32亿美元,利润率达到28.3%。这一盈利水平一改过去五个季度亏损累积超过70亿美元的状况,体现出美光战略调整和市场需求的完美契合。 内存业务向来受制于技术更新和产能周期的波动,闪存业务亦经历周期性波动。然而,美光凭借其垂直整合的生产链条和研发能力,在资本支出方面保持了强劲投入。2025财年第四季度资本支出高达49.3亿美元,占收入比重近44%,充分显示公司对技术深耕和产能扩展的坚定决心。相较于纯代工厂的台积电,美光不仅掌握设计,也承担晶圆制造职责,面临更高的资本和技术压力,但同时为其产品差异化提供了坚实保障。

值得关注的是,市场对高端内存,尤其是HBM堆叠内存的需求远超供应,成为美光业绩增长的重要推手。2025年Q4数据显示,DRAM销售额达到89.4亿美元,较去年同期激增67.8%。其中,高带宽内存(HBM)业务销售额接近20亿美元,实现环比增长17.7%,同比增长3.78倍。高容量服务器DRAM和LPDDR5服务器内存销售同样表现亮眼,环比增长10%,同比增长近四倍,总计达到33.1亿美元。这表明面向高端计算引擎的内存产品正成为驱动公司成长的关键动力。 相比之下,NAND闪存销售虽较去年同期略有下滑4.3%,但环比实现5%的回升,表明市场需求正在逐步修复。

NOR闪存以及其他产品则表现稳健,销售额接近1.13亿美元,同比几乎翻倍。总体来看,美光通过细分业务调整,提升了云端内存业务的比重,Q4云计算内存销售额增至45.3亿美元,环比同比均实现数倍增长,运营利润率高达48%,成为带动公司业绩飙升的主引擎。 美光的核心数据中心业务包括NVMe闪存驱动、DDR服务器内存以及非易失性DIMM内存,但受行业周期影响,该业务环比下滑23%,运营利润下降近29%,不过环比有所回升,显示出市场脉动正在恢复。整体数据中心业务收入达到61.2亿美元,同比增长75%,运营利润飙升150%,展现出强劲的市场复苏动力和产品竞争力。 值得一提的是,美光对未来的布局极具前瞻性。公司宣布不会跳过最新一代HBM4内存的开发,已经推出速度高达11 Gb/s的HBM4产品,单堆叠带宽达到惊人的2.8 TB/s,预计将成为市场最快的HBM4内存产品。

HBM4E内存更搭载了定制基底芯片,支持计算和客户定制功能,满足多样化的应用需求,这表明美光正在推动内存智能化和定制化方向的创新。 在需求旺盛的大背景下,美光2026年第一季度预计收入将达到125亿美元左右,再次迎来强势增长的良好开局。公司计划在2026财年继续大幅资本支出,预计达到180亿美元,这不仅支撑新工艺节点的研发,也保障产能扩张以应对持续飙升的市场需求。政府补贴的支持使得投资更加稳健,如美国、日本和新加坡提供的20亿美元激励有效降低资本成本。 美光在DRAM工艺布局上也进行了战略调整,新一代1γ工艺的应用将释放部分1β工艺产能,专门用于制造基于成熟技术的堆叠HBM产品,以确保良率和经济效益并重。同时,公司预计截止2026年第三季度,HBM市场份额将达到约20%,这一预测与其整体DRAM市场份额相符,反映出美光在高端内存细分市场中的稳固地位。

预计到2030年,HBM市场规模有望突破千亿美元,巨大的市场潜力提升了投资者和业界的信心。 总体来看,美光科技通过技术创新、积极的市场策略和持续的资本投入,成功转型并扩大其在服务器、高性能计算和AI加速领域的内存供应份额。面对全球政治经济环境、供应链复杂性及技术迭代加速的双重挑战,美光不仅巩固了其在本土市场的竞争优势,也在全球内存产业链中发挥了不可替代的角色。未来,随着人工智能和云计算需求的爆发式增长,内存作为关键基础硬件的地位将更加凸显,美光有望继续领跑这一关键领域,贡献更多创新和价值。 。

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