在全球半导体制造竞争日益激烈的背景下，极紫外光刻（EUV）技术作为最先进的芯片制造技术之一，一直被视为技术壁垒的象征。EU V技术能够将芯片制造推向更小的纳米节点，提高晶体管密度，实现更高性能和更低功耗的芯片设计。荷兰ASML公司凭借其独特的技术优势，长期占据全球极紫外光刻机市场的主导地位，而其子公司美国Cymer则为该设备提供关键的极紫外光源。多年来，中国半导体行业在EUV装备方面始终面临重重技术封锁与进口依赖。近日，中国宣布成功研发出13.5纳米波长的极紫外光刻技术，且未借助ASML或Cymer设备，这一成就被誉为“产业链自主突破的里程碑”，标志着中国半导体制造能力全面迈向自主可控的新高度。极紫外光刻技术的难度主要在于其使用极短波长的光线进行芯片曝光。
13.5纳米波长的极紫外光线能够实现更细微的线路刻画，是制造先进芯片节点的关键。然而，EUV光刻设备设计极为复杂，涉及光学系统、真空环境、光源设计与稳定性、多层反射镜技术等多项前沿科学技术。上述这些核心技术长期被ASML和Cymer所控制，成为全球半导体制造行业门槛最高的技术之一。中国此次突破正是在光源技术和光刻机核心系统方面取得了前所未有的进展。据中国相关科研机构透露，经过多年持续攻关，中国团队成功设计制造出具备高功率稳定光源的EUV光刻机关键组件，解决了激光激发等技术瓶颈，实现了自主可控的极紫外光曝光过程。除光源外，中国在光学系统多层膜反射镜研制上也取得进步，保证系统整体效率和曝光质量。
此项技术的成功除了展示中国强大的科研创新能力，也打破了国外技术封锁，缓解了长期以来半导体产业中的供应链风险。长期依赖进口设备不仅制约产业自主发展，还面临地缘政治的不确定性。如今，中国自研EUV技术的问世为国内芯片制造厂商提供了安全稳定的技术保障，为未来实现芯片设计、制造全链条国产化奠定坚实基础。该突破不仅具备技术层面的高度意义，更将在全球半导体格局中产生深远影响。美国、欧盟等技术强国曾通过出口管制限制中国购买部分关键半导体设备，但中国研发出的13.5纳米EUV技术刷新了市场预期，显示了技术自主权的重要性。行业专家认为，随着中国EUV设备的逐步量产和应用，其将推动本土芯片产业快速追赶国际先进水平，促进智能手机、人工智能、高性能计算等领域的芯片供应安全与创新活力。
未来几年，中国还将加大投资，完善相关配套设备与材料产业链，推动EUV技术的产业化进程。与此同时，全球半导体供应链将迎来新的变局，更多国家将重新审视产业布局与技术合作策略。可以预见，中国自主研发的极紫外光刻技术将成为其迈向半导体制造顶尖水平的关键跳板。面对技术壁垒与国际压力，中国科学家和工程师通过持续努力，将“不可思议”变为现实，彰显了中国制造“硬核”力量。该成就不仅提升了本土产业竞争力，也为全球半导体生态带来更多选择和可能性。整体而言，中国突破13.5纳米EUV光刻的技术枷锁，标志着国产芯片制造能力从追随走向引领阶段。
接下来，不断完善技术性能、提升设备稳定性和产能规模将是下一步重点。半导体产业的高质量发展离不开创新驱动和产业协同，而中国此举无疑为全球芯片制造竞争注入新活力和更多不确定因素。未来中国极紫外光刻机将在更多高端芯片制造基地投入实际应用，推动芯片产业链加速升级，实现更广泛的技术自主和创新发展。随着全球技术格局持续演变，中国在半导体领域的突破也将为全球产业合作与竞争带来深刻影响，助力构建多元化、弹性更强的全球技术生态系统。
